ইলেকট্রিক্যাল এন্ড ইলেকট্রনিক ইঞ্জিনিয়ারিং
Subjects / বিষয়
Non-Technical · Shared by all departments
পদার্থ বিজ্ঞান
8 chapters
Non-Technical · Shared by all departments
রসায়ন
15 chapters
Non-Technical · Shared by all departments
গণিত
4 chapters
Non-Technical · Shared by all departments
ইংরেজি
11 chapters
Technical
Electrical and Electronic Engineering
6 chapters
Questions
0 read · 0 practiced · 0 answered in examsEinstein Relation কোনটি?
Correct answer: a
ডিফিউশন ধ্রুবক (D) এবং মোবিলিটির (μ) অনুপাত থার্মাল ভোল্টেজ VT-এর সমান: D/μ = VT = kT/q।
কক্ষ তাপমাত্রায় (300 K) থার্মাল ভোল্টেজ (Thermal Voltage, VT)-এর মান কত?
Correct answer: b
VT = kT / q ≈ (1.38 × 10⁻²³ × 300) / (1.6 × 10⁻¹⁹) ≈ 0.02586 V বা 26 mV।
Intrinsic Semiconductor-এ Fermi Level-এর অবস্থান কোথায় থাকে?
Correct answer: c
বিশুদ্ধ সেমিকন্ডাক্টরে ইলেকট্রন ও হোলের ঘনত্ব সমান থাকায় ফার্মি লেভেল নিষিদ্ধ অঞ্চলের কেন্দ্রবিন্দুতে থাকে।
N-type সেমিকন্ডাক্টরে Fermi Level কোথায় অবস্থান করে?
Correct answer: d
ডোনার এনার্জি লেভেলের উপস্থিতির কারণে ফার্মি লেভেল কন্ডাকশন ব্যান্ডের খুব কাছাকাছি উঠে আসে।
P-type সেমিকন্ডাক্টরে Fermi Level কোথায় সরে যায়?
Correct answer: a
এক্সেপ্টর লেভেলের কারণে ফার্মি লেভেল ভ্যালেন্স ব্যান্ডের সন্নিকটে অবস্থান করে।
সিলিকনে ni = 1.5 × 10¹⁰ cm⁻³। একটি N-type সিলিকনে ডোনার ঘনত্ব Nd = 1e+15 cm⁻³ হলে মাইনরিটি হোল ঘনত্ব (p) কত?
Correct answer: b
Mass Action Law: n · p = ni² => p ≈ ni² / Nd = (1.5 × 10¹⁰)² / (1e+15) = 2.25e+05 cm⁻³।
সিলিকনে ni = 1.5 × 10¹⁰ cm⁻³। একটি N-type সিলিকনে ডোনার ঘনত্ব Nd = 1e+16 cm⁻³ হলে মাইনরিটি হোল ঘনত্ব (p) কত?
Correct answer: c
Mass Action Law: n · p = ni² => p ≈ ni² / Nd = (1.5 × 10¹⁰)² / (1e+16) = 2.25e+04 cm⁻³।
সিলিকনে ni = 1.5 × 10¹⁰ cm⁻³। একটি N-type সিলিকনে ডোনার ঘনত্ব Nd = 1e+17 cm⁻³ হলে মাইনরিটি হোল ঘনত্ব (p) কত?
Correct answer: d
Mass Action Law: n · p = ni² => p ≈ ni² / Nd = (1.5 × 10¹⁰)² / (1e+17) = 2.25e+03 cm⁻³।
সিলিকনে ni = 1.5 × 10¹⁰ cm⁻³। একটি N-type সিলিকনে ডোনার ঘনত্ব Nd = 1e+18 cm⁻³ হলে মাইনরিটি হোল ঘনত্ব (p) কত?
Correct answer: a
Mass Action Law: n · p = ni² => p ≈ ni² / Nd = (1.5 × 10¹⁰)² / (1e+18) = 2.25e+02 cm⁻³।
কক্ষ তাপমাত্রায় (VT = 26 mV) ইলেকট্রন মোবিলিটি µn = 500 cm²/V·s হলে ডিফিউশন ধ্রুবক (Dn) কত?
Correct answer: b
Einstein Relation: Dn = µn × VT = 500 × 0.026 = 13.0 cm²/s।