Your next chapter starts hereExplore admission guide
PRACTICE QUESTION BANK

ইলেকট্রিক্যাল এন্ড ইলেকট্রনিক ইঞ্জিনিয়ারিং

Department
22948Questions
22948MCQ
0CQ / Written
0%0 covered

Subjects / বিষয়

Non-Technical · Shared by all departments

রসায়ন

15 chapters

6500 questions6500 MCQ0 CQ
0/6500 covered0%
0%

Non-Technical · Shared by all departments

গণিত

4 chapters

2500 questions2500 MCQ0 CQ
0/2500 covered0%
0%

Non-Technical · Shared by all departments

ইংরেজি

11 chapters

2800 questions2800 MCQ0 CQ
0/2800 covered0%
0%

Questions

0 read · 0 practiced · 0 answered in exams
7051. MCQPractice set · Question 3

পরম শূন্য তাপমাত্রায় (0 Kelvin) একটি বিশুদ্ধ সেমিকন্ডাক্টর কীরূপে আচরণ করে?

a.
সুপারকন্ডাক্টর হিসেবে
b.
উত্তম পরিবাহী হিসেবে
c.
নিখুঁত ইনসুলেটর (Perfect Insulator) হিসেবে
d.
সেমিকন্ডাক্টর হিসেবেই থাকে

Correct answer: c

0 K তাপমাত্রায় ভ্যালেন্স ব্যান্ড ইলেকট্রনে পূর্ণ থাকে কিন্তু কোনো ইলেকট্রন পরিবহন ব্যান্ডে যায় না, ফলে এটি ইনসুলেটরের মতো আচরণ করে।

Sign in to save reading progress

7052. MCQPractice set · Question 4

Intrinsic Semiconductor-এ ইলেকট্রন ঘনত্ব (n) এবং হোল ঘনত্বের (p) সম্পর্ক কী?

a.
n > p
b.
p > n
c.
n × p = 0
d.
n = p = ni (ইলেকট্রন ও হোল সংখ্যা সমান)

Correct answer: d

বিশুদ্ধ অর্ধপরিবাহীতে তাপজনিত কারণে সৃষ্ট মুক্ত ইলেকট্রন এবং হোলের সংখ্যা সর্বদা সমান থাকে (n = p = ni)।

Sign in to save reading progress

7053. MCQPractice set · Question 5

P-type সেমিকন্ডাক্টর তৈরি করতে বিশুদ্ধ সিলিকনের সাথে কোন যোজ্যতার অপদ্রব্য (Dopant) ডোপিং করা হয়?

a.
ত্রিযোজী (Trivalent, যেমন Boron, Gallium, Indium)
b.
পঞ্চযোজী (Pentavalent)
c.
চতুর্যোজী
d.
দ্বিযোজী

Correct answer: a

বোরন, অ্যালুমিনিয়াম, গ্যালিয়াম প্রভৃতি ত্রিযোজী পরমাণু যোগ করলে অতিরিক্ত হোল তৈরি হয়ে P-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর গঠিত হয়।

Sign in to save reading progress

7054. MCQPractice set · Question 6

N-type সেমিকন্ডাক্টর তৈরিতে ব্যবহৃত পঞ্চযোজী (Pentavalent) অপদ্রব্যের উদাহরণ কোনটি?

a.
Boron, Aluminum
b.
Phosphorus, Arsenic, Antimony
c.
Silicon, Carbon
d.
Copper, Silver

Correct answer: b

ফসফরাস বা আর্সেনিক যোগ করলে ৪টি যোজ্যতা ইলেকট্রন বন্ধন তৈরি করে এবং ৫ম ইলেকট্রনটি পরিবাহনের জন্য মুক্ত থাকে।

Sign in to save reading progress

7055. MCQPractice set · Question 7

N-type সেমিকন্ডাক্টরে মেজরিটি ক্যারিয়ার (Majority Carrier) কোনটি?

a.
হোল (Holes)
b.
পজিটিভ আয়ন
c.
ইলেকট্রন (Electrons)
d.
প্রোটন

Correct answer: c

এন-টাইপে ডোপিংয়ের কারণে মুক্ত ইলেকট্রন সংখ্যা হোলের চেয়ে অনেক বেশি থাকে, তাই ইলেকট্রন হলো মেজরিটি ক্যারিয়ার।

Sign in to save reading progress

7056. MCQPractice set · Question 8

P-type সেমিকন্ডাক্টরে মাইনরিটি ক্যারিয়ার (Minority Carrier) কোনটি?

a.
হোল (Holes)
b.
নেগেটিভ আয়ন
c.
ডোপান্ট আয়ন
d.
ইলেকট্রন (Electrons)

Correct answer: d

পি-টাইপে হোল হলো মেজরিটি ক্যারিয়ার এবং তাপীয় কারণে সৃষ্ট মুক্ত ইলেকট্রন হলো মাইনরিটি ক্যারিয়ার।

Sign in to save reading progress

7057. MCQPractice set · Question 9

একটি P-type বা N-type সেমিকন্ডাক্টর সামগ্রিকভাবে তড়িৎ নিরপেক্ষ কেন?

a.
ডোপিং করার পরও পরমাণুগুলোর মোট প্রোটন ও ইলেকট্রন সংখ্যা সমান থাকে
b.
এতে কোনো চার্জ থাকে না
c.
কেবল নিরপেক্ষ গ্যাস থাকে
d.
উভয়ের ঘনত্ব সমান

Correct answer: a

ইলেকট্রন বা হোলের আধিক্য ঘটলেও ক্রিস্টালের অভ্যন্তরে সংশ্লিষ্ট ডোনার বা এক্সেপ্টর আয়ন উপস্থিত থাকায় উপাদানটি বিদ্যুৎ নিরপেক্ষ।

Sign in to save reading progress

7058. MCQPractice set · Question 10

Mass Action Law-এর সমীকরণ কোনটি?

a.
n + p = ni
b.
n × p = ni²
c.
n / p = ni
d.
n × p = 2 ni

Correct answer: b

থার্মাল ইকুইলিব্রিয়ামে ডোপিং নির্বিশেষে মুক্ত ইলেকট্রন ও হোল ঘনত্বের গুণফল ধ্রুবক: n · p = ni²।

Sign in to save reading progress

7059. MCQPractice set · Question 11

সেমিকন্ডাক্টরে Drift Current কিসের কারণে উৎপন্ন হয়?

a.
ঘনত্বের পার্থক্যের জন্য
b.
তাপমাত্রার পার্থক্যে
c.
প্রযুক্ত বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের প্রভাবে (Applied Electric Field)
d.
চৌম্বক বলের কারণে

Correct answer: c

বাহ্যিক ভোল্টেজ বা ইলেকট্রিক ফিল্ডের টানে চার্জ ক্যারিয়ারের নির্দিষ্ট গতির ফলে যে কারেন্ট প্রবাহিত হয় তাকে ড্রিফট কারেন্ট বলে।

Sign in to save reading progress

7060. MCQPractice set · Question 12

Diffusion Current উৎপাদনের মূল চালিকাশক্তি কোনটি?

a.
প্রযুক্ত ভোল্টেজ
b.
বাহ্যিক ইলেকট্রিক ফিল্ড
c.
কোর রেজিস্ট্যান্স
d.
চার্জ ক্যারিয়ারের ঘনত্বের নতিমাত্রা (Carrier Concentration Gradient, dn/dx)

Correct answer: d

উচ্চ ঘনত্বের অঞ্চল থেকে নিম্ন ঘনত্বের অঞ্চলের দিকে চার্জের স্বতঃস্ফূর্ত ব্যাপনের ফলে ডিফিউশন কারেন্ট তৈরি হয়।

Sign in to save reading progress