Your next chapter starts hereExplore admission guide
PRACTICE QUESTION BANK

ইলেকট্রিক্যাল এন্ড ইলেকট্রনিক ইঞ্জিনিয়ারিং

Department
22948Questions
22948MCQ
0CQ / Written
0%0 covered

Subjects / বিষয়

Non-Technical · Shared by all departments

রসায়ন

15 chapters

6500 questions6500 MCQ0 CQ
0/6500 covered0%
0%

Non-Technical · Shared by all departments

গণিত

4 chapters

2500 questions2500 MCQ0 CQ
0/2500 covered0%
0%

Non-Technical · Shared by all departments

ইংরেজি

11 chapters

2800 questions2800 MCQ0 CQ
0/2800 covered0%
0%

Questions

0 read · 0 practiced · 0 answered in exams
6871. MCQPractice set · Question 23

25°C তাপমাত্রায় একটি সিলিকন ডায়োডের রিভার্স কারেন্ট 10 nA। তাপমাত্রা বাড়িয়ে 45°C করা হলে রিভার্স কারেন্ট কত হবে?

a.
20 nA
b.
20 nA
c.
40 nA
d.
80 nA

Correct answer: c

তাপমাত্রা বৃদ্ধি ΔT = 45 - 25 = 20°C; কারেন্ট বৃদ্ধি পাবে ২^(20/10) = 4 গুণ। Is = 10 × 4 = 40 nA।

Sign in to save reading progress

6872. MCQPractice set · Question 24

25°C তাপমাত্রায় একটি সিলিকন ডায়োডের রিভার্স কারেন্ট 10 nA। তাপমাত্রা বাড়িয়ে 55°C করা হলে রিভার্স কারেন্ট কত হবে?

a.
20 nA
b.
40 nA
c.
160 nA
d.
80 nA

Correct answer: d

তাপমাত্রা বৃদ্ধি ΔT = 55 - 25 = 30°C; কারেন্ট বৃদ্ধি পাবে ২^(30/10) = 8 গুণ। Is = 10 × 8 = 80 nA।

Sign in to save reading progress

6873. MCQPractice set · Question 25

25°C তাপমাত্রায় একটি সিলিকন ডায়োডের রিভার্স কারেন্ট 10 nA। তাপমাত্রা বাড়িয়ে 65°C করা হলে রিভার্স কারেন্ট কত হবে?

a.
160 nA
b.
20 nA
c.
80 nA
d.
320 nA

Correct answer: a

তাপমাত্রা বৃদ্ধি ΔT = 65 - 25 = 40°C; কারেন্ট বৃদ্ধি পাবে ২^(40/10) = 16 গুণ। Is = 10 × 16 = 160 nA।

Sign in to save reading progress

6874. MCQPractice set · Question 26

Shockley Diode Equation কোনটি?

a.
I_D = I_s × e^(V_D / V_T)
b.
I_D = I_s × [e^(V_D / ηV_T) - 1]
c.
I_D = V_D / R
d.
I_D = I_s × (1 - e^(-V_D/V_T))

Correct answer: b

শকলে ডায়োড সমীকরণ হলো: I_D = I_s · [e^(V_D / ηV_T) - 1], যেখানে η হলো আইডিয়ালিটি ফ্যাক্টর।

Sign in to save reading progress

6875. MCQPractice set · Question 27

Shockley Diode Equation কোনটি?

a.
I_D = I_s × e^(V_D / V_T)
b.
I_D = V_D / R
c.
I_D = I_s × [e^(V_D / ηV_T) - 1]
d.
I_D = I_s × (1 - e^(-V_D/V_T))

Correct answer: c

শকলে ডায়োড সমীকরণ হলো: I_D = I_s · [e^(V_D / ηV_T) - 1], যেখানে η হলো আইডিয়ালিটি ফ্যাক্টর।

Sign in to save reading progress

6876. MCQPractice set · Question 28

Shockley Diode Equation কোনটি?

a.
I_D = I_s × e^(V_D / V_T)
b.
I_D = V_D / R
c.
I_D = I_s × (1 - e^(-V_D/V_T))
d.
I_D = I_s × [e^(V_D / ηV_T) - 1]

Correct answer: d

শকলে ডায়োড সমীকরণ হলো: I_D = I_s · [e^(V_D / ηV_T) - 1], যেখানে η হলো আইডিয়ালিটি ফ্যাক্টর।

Sign in to save reading progress

6877. MCQPractice set · Question 29

একটি সিলিকন ডায়োডের তাপমাত্রা 25°C থেকে বেড়ে 54°C হলে ব্যারিয়ার ভোল্টেজ কত হ্রাস পাবে?

a.
72.5 mV
b.
145.0 mV
c.
36.2 mV
d.
0 mV

Correct answer: a

ব্যারিয়ার ভোল্টেজ হ্রাস = 2.5 mV/°C × (54 - 25)°C = 2.5 × 29 = 72.5 mV।

Sign in to save reading progress

6878. MCQPractice set · Question 30

একটি সিলিকন ডায়োডের তাপমাত্রা 25°C থেকে বেড়ে 55°C হলে ব্যারিয়ার ভোল্টেজ কত হ্রাস পাবে?

a.
150.0 mV
b.
75.0 mV
c.
37.5 mV
d.
0 mV

Correct answer: b

ব্যারিয়ার ভোল্টেজ হ্রাস = 2.5 mV/°C × (55 - 25)°C = 2.5 × 30 = 75.0 mV।

Sign in to save reading progress

6879. MCQPractice set · Question 31

একটি সিলিকন ডায়োডের তাপমাত্রা 25°C থেকে বেড়ে 56°C হলে ব্যারিয়ার ভোল্টেজ কত হ্রাস পাবে?

a.
155.0 mV
b.
38.8 mV
c.
77.5 mV
d.
0 mV

Correct answer: c

ব্যারিয়ার ভোল্টেজ হ্রাস = 2.5 mV/°C × (56 - 25)°C = 2.5 × 31 = 77.5 mV।

Sign in to save reading progress

6880. MCQPractice set · Question 32

একটি সিলিকন ডায়োডের তাপমাত্রা 25°C থেকে বেড়ে 57°C হলে ব্যারিয়ার ভোল্টেজ কত হ্রাস পাবে?

a.
160.0 mV
b.
40.0 mV
c.
0 mV
d.
80.0 mV

Correct answer: d

ব্যারিয়ার ভোল্টেজ হ্রাস = 2.5 mV/°C × (57 - 25)°C = 2.5 × 32 = 80.0 mV।

Sign in to save reading progress