Your next chapter starts hereExplore admission guide
PRACTICE QUESTION BANK

ইলেকট্রিক্যাল এন্ড ইলেকট্রনিক ইঞ্জিনিয়ারিং

Department
22948Questions
22948MCQ
0CQ / Written
0%0 covered

Subjects / বিষয়

Non-Technical · Shared by all departments

রসায়ন

15 chapters

6500 questions6500 MCQ0 CQ
0/6500 covered0%
0%

Non-Technical · Shared by all departments

গণিত

4 chapters

2500 questions2500 MCQ0 CQ
0/2500 covered0%
0%

Non-Technical · Shared by all departments

ইংরেজি

11 chapters

2800 questions2800 MCQ0 CQ
0/2800 covered0%
0%

Questions

0 read · 0 practiced · 0 answered in exams
6651. MCQPractice set · Question 3

Simplified Diode Model-এ সিলিকন ডায়োড ফরওয়ার্ড কন্ডাকশনে থাকলে একে কী দ্বারা প্রতিস্থাপন করা হয়?

a.
একটি শর্ট সার্কিট
b.
একটি রোধ দ্বারা
c.
একটি 0.7 V ব্যাটারি বা কাউন্টার ভোল্টেজ সোর্স দ্বারা
d.
ওপেন সার্কিট

Correct answer: c

সিম্প্লিফাইড মডেলে ফরওয়ার্ড বায়াসড সিলিকন ডায়োডকে কেবল তার নি-ভোল্টেজ 0.7 V এর ব্যাটারি দ্বারা প্রকাশ করা হয়।

Sign in to save reading progress

6652. MCQPractice set · Question 4

Piecewise Linear Model-এ ডায়োডকে কোন কোন উপাদানের সমবায়ে প্রকাশ করা হয়?

a.
শুধুমাত্র রোধ
b.
শুধুমাত্র ব্যাটারি
c.
ক্যাপাসিটর ও ইনডাক্টর
d.
একটি নি-ভোল্টেজ Vγ এবং এর সিরিজে অভ্যন্তরীণ ডাইনামিক রোধ rf

Correct answer: d

পিসওয়াইজ লিনিয়ার মডেলে 0.7 V ভোল্টেজ ড্রপ এবং ফরওয়ার্ড কারেন্ট বৃদ্ধির সাথে সামান্য অভ্যন্তরীণ রোধ rf উভয়ই অন্তর্ভুক্ত থাকে।

Sign in to save reading progress

6653. MCQPractice set · Question 5

ডায়োডের Dynamic Resistance বা AC Resistance (r_d)-এর সূত্র কোনটি?

a.
r_d = 26 mV / I_D
b.
r_d = V_D / I_D
c.
r_d = I_D / 26 mV
d.
r_d = 26 mV × I_D

Correct answer: a

ডায়োড ক্যারেক্টারিস্টিকের ঢাল থেকে ডিফারেনশিয়াল রোধ r_d = dV/dI = η·VT / I_D ≈ 26 mV / I_D (কক্ষ তাপমাত্রায়)।

Sign in to save reading progress

6654. MCQPractice set · Question 6

Static Resistance বা DC Resistance (R_D)-এর সংজ্ঞা কোনটি?

a.
R_D = ΔV / ΔI
b.
R_D = V_D / I_D (নির্দিষ্ট অপারেটিং পয়েন্টের ভোল্টেজ ও কারেন্টের অনুপাত)
c.
R_D = 26 mV / I_D
d.
R_D = V_D × I_D

Correct answer: b

ডায়োডের যেকোনো নির্দিষ্ট ডিসি অপারেটিং পয়েন্টে ডিসি ভোল্টেজ ও কারেন্টের সাধারণ অনুপাতই হলো স্ট্যাটিক রোধ।

Sign in to save reading progress

6655. MCQPractice set · Question 7

ফরওয়ার্ড কারেন্ট (I_D) বৃদ্ধি পেলে ডায়োডের Dynamic Resistance-এর কী ঘটে?

a.
বৃদ্ধি পায়
b.
অপরিবর্তিত থাকে
c.
হ্রাস পায় (Inversely proportional to ID)
d.
শূন্য হয়ে যায়

Correct answer: c

r_d = 26 mV / I_D; ডায়োডের কারেন্ট যত বাড়ে, তার ডায়নামিক রোধ তত কমতে থাকে।

Sign in to save reading progress

6656. MCQPractice set · Question 8

রিভার্স বায়াসে ডায়োডের সমতুল্য রোধ সাধারণত কত মানের হয়?

a.
খুব কম রোধ
b.
0 Ω
c.
1 Ω
d.
Mega-ohm (MΩ) রেঞ্জের অত্যন্ত উচ্চ রোধ

Correct answer: d

রিভার্স বায়াসে কেবল ন্যানো-অ্যাম্পিয়ার লিকেজ কারেন্ট থাকায় এর রোধ মেগাহম পরিসরে হয়।

Sign in to save reading progress

6657. MCQPractice set · Question 9

কক্ষ তাপমাত্রায় একটি সিলিকন ডায়োডের মধ্য দিয়ে 1 mA ফরওয়ার্ড কারেন্ট প্রবাহিত হলে এর AC বা Dynamic Resistance (rd) কত?

a.
26.0 Ω
b.
52.0 Ω
c.
13.0 Ω
d.
31.0 Ω

Correct answer: a

rd = 26 mV / I_D = 26 mV / 1 mA = 26.0 Ω।

Sign in to save reading progress

6658. MCQPractice set · Question 10

কক্ষ তাপমাত্রায় একটি সিলিকন ডায়োডের মধ্য দিয়ে 2 mA ফরওয়ার্ড কারেন্ট প্রবাহিত হলে এর AC বা Dynamic Resistance (rd) কত?

a.
26.0 Ω
b.
13.0 Ω
c.
6.5 Ω
d.
18.0 Ω

Correct answer: b

rd = 26 mV / I_D = 26 mV / 2 mA = 13.0 Ω।

Sign in to save reading progress

6659. MCQPractice set · Question 11

কক্ষ তাপমাত্রায় একটি সিলিকন ডায়োডের মধ্য দিয়ে 4 mA ফরওয়ার্ড কারেন্ট প্রবাহিত হলে এর AC বা Dynamic Resistance (rd) কত?

a.
13.0 Ω
b.
3.25 Ω
c.
6.5 Ω
d.
11.5 Ω

Correct answer: c

rd = 26 mV / I_D = 26 mV / 4 mA = 6.5 Ω।

Sign in to save reading progress

6660. MCQPractice set · Question 12

কক্ষ তাপমাত্রায় একটি সিলিকন ডায়োডের মধ্য দিয়ে 5 mA ফরওয়ার্ড কারেন্ট প্রবাহিত হলে এর AC বা Dynamic Resistance (rd) কত?

a.
10.4 Ω
b.
2.6 Ω
c.
10.2 Ω
d.
5.2 Ω

Correct answer: d

rd = 26 mV / I_D = 26 mV / 5 mA = 5.2 Ω।

Sign in to save reading progress