কম্পিউটার সায়েন্স এন্ড ইঞ্জিনিয়ারিং
Subjects / বিষয়
Non-Technical · Shared by all departments
পদার্থ বিজ্ঞান
8 chapters
Non-Technical · Shared by all departments
রসায়ন
15 chapters
Non-Technical · Shared by all departments
গণিত
4 chapters
Non-Technical · Shared by all departments
ইংরেজি
11 chapters
Technical
Computer Science and Engineering
12 chapters
Questions
0 read · 0 practiced · 0 answered in examsকক্ষ তাপমাত্রায় সিলিকনের (Si) নিষিদ্ধ শক্তি ব্যবধানের (Forbidden Energy Gap) মান কত?
Correct answer: c
সিলিকনের ব্যান্ড গ্যাপ প্রায় 1.1 eV এবং জার্মেনিয়ামের প্রায় 0.7 eV।
বিশুদ্ধ সিলিকনে পঞ্চযোজী (Pentavalent) অপদ্রব্য (যেমন আর্সেনিক, ফসফরাস) ডোপিং করলে কোন ধরনের সেমিকন্ডাক্টর তৈরি হয়?
Correct answer: d
পঞ্চযোজী পরমাণু অতিরিক্ত একটি মুক্ত ইলেকট্রন দান করে মেজরিটি ক্যারিয়ার হিসেবে ইলেকট্রন বাড়ায় (N-type)।
P-type সেমিকন্ডাক্টরে মেজরিটি চার্জ ক্যারিয়ার (Majority Charge Carrier) কোনটি?
Correct answer: a
ত্রিজোজী ডোপিংয়ের কারণে P-type সেমিকন্ডাক্টরে প্রচুর হোল তৈরি হয় যা প্রধান চার্জ বাহক হিসেবে কাজ করে।
বেসিক ইলেকট্রিসিটিতে কোনো প্রকার অপদ্রব্য ছাড়া সম্পূর্ণ খাঁটি ও বিশুদ্ধ অর্ধপরিবাহী (যেমন বিশুদ্ধ Si বা Ge) (প্রশ্ন সংস্করণ 2)?
Correct answer: b
Intrinsic Semiconductor সংক্রান্ত তত্ত্ব: কোনো প্রকার অপদ্রব্য ছাড়া সম্পূর্ণ খাঁটি ও বিশুদ্ধ অর্ধপরিবাহী (যেমন বিশুদ্ধ Si বা Ge)।
বেসিক ইলেকট্রিসিটিতে ডোপিংয়ের মাধ্যমে পরিবাহিতা বৃদ্ধি করা অবিশুদ্ধ সেমিকন্ডাক্টর (N-type বা P-type) (প্রশ্ন সংস্করণ 2)?
Correct answer: c
Extrinsic Semiconductor সংক্রান্ত তত্ত্ব: ডোপিংয়ের মাধ্যমে পরিবাহিতা বৃদ্ধি করা অবিশুদ্ধ সেমিকন্ডাক্টর (N-type বা P-type)।
বেসিক ইলেকট্রিসিটিতে সেমিকন্ডাক্টরের তড়িৎ পরিবাহিতা বাড়াতে নিয়ন্ত্রিত মাত্রায় উপযুক্ত অপদ্রব্য পরমাণু মেশানোর প্রক্রিয়া (প্রশ্ন সংস্করণ 2)?
Correct answer: d
Doping সংক্রান্ত তত্ত্ব: সেমিকন্ডাক্টরের তড়িৎ পরিবাহিতা বাড়াতে নিয়ন্ত্রিত মাত্রায় উপযুক্ত অপদ্রব্য পরমাণু মেশানোর প্রক্রিয়া।
বেসিক ইলেকট্রিসিটিতে বোরন, অ্যালুমিনিয়াম, গ্যালিয়াম যা P-type সেমিকন্ডাক্টর তৈরির অ্যাকসেপ্টর ডোপ্যান্ট (প্রশ্ন সংস্করণ 2)?
Correct answer: a
Trivalent Impurity সংক্রান্ত তত্ত্ব: বোরন, অ্যালুমিনিয়াম, গ্যালিয়াম যা P-type সেমিকন্ডাক্টর তৈরির অ্যাকসেপ্টর ডোপ্যান্ট।
বেসিক ইলেকট্রিসিটিতে সিলিকন এবং জার্মেনিয়াম উভয় মৌলের পরমাণুর সর্ববহিঃস্থ স্তরে ৪টি করে যোজ্য ইলেকট্রন থাকে (প্রশ্ন সংস্করণ 2)?
Correct answer: b
Valence Electrons of Si সংক্রান্ত তত্ত্ব: সিলিকন এবং জার্মেনিয়াম উভয় মৌলের পরমাণুর সর্ববহিঃস্থ স্তরে ৪টি করে যোজ্য ইলেকট্রন থাকে।
বেসিক ইলেকট্রিসিটিতে কোনো প্রকার অপদ্রব্য ছাড়া সম্পূর্ণ খাঁটি ও বিশুদ্ধ অর্ধপরিবাহী (যেমন বিশুদ্ধ Si বা Ge) (প্রশ্ন সংস্করণ 3)?
Correct answer: c
Intrinsic Semiconductor সংক্রান্ত তত্ত্ব: কোনো প্রকার অপদ্রব্য ছাড়া সম্পূর্ণ খাঁটি ও বিশুদ্ধ অর্ধপরিবাহী (যেমন বিশুদ্ধ Si বা Ge)।
বেসিক ইলেকট্রিসিটিতে ডোপিংয়ের মাধ্যমে পরিবাহিতা বৃদ্ধি করা অবিশুদ্ধ সেমিকন্ডাক্টর (N-type বা P-type) (প্রশ্ন সংস্করণ 3)?
Correct answer: d
Extrinsic Semiconductor সংক্রান্ত তত্ত্ব: ডোপিংয়ের মাধ্যমে পরিবাহিতা বৃদ্ধি করা অবিশুদ্ধ সেমিকন্ডাক্টর (N-type বা P-type)।