মেকানিক্যাল ইঞ্জিনিয়ারিং
Subjects / বিষয়
Non-Technical · Shared by all departments
পদার্থ বিজ্ঞান
8 chapters
Non-Technical · Shared by all departments
রসায়ন
15 chapters
Non-Technical · Shared by all departments
গণিত
4 chapters
Non-Technical · Shared by all departments
ইংরেজি
11 chapters
Technical
ME/IPE/MME
12 chapters
Questions
0 read · 0 practiced · 0 answered in examsসিলিকন (Si) পি-এন জাংশন ডায়োডের জন্য সাধারণ কক্ষ তাপমাত্রায় বিভব প্রাচীর বা ব্যারিয়ার পটেনশিয়াল (Barrier potential) কত? (প্রশ্ন 23)
Correct answer: c
সিলিকন ডায়োডের সম্মুখ বায়াসে কন্ডাকশন শুরু করতে ন্যূনতম 0.7 V বিভব প্রাচীর অতিক্রম করতে হয়। জার্মেনিয়ামের ক্ষেত্রে এটি প্রায় 0.3 V।
সিলিকন (Si) পি-এন জাংশন ডায়োডের জন্য সাধারণ কক্ষ তাপমাত্রায় বিভব প্রাচীর বা ব্যারিয়ার পটেনশিয়াল (Barrier potential) কত? (প্রশ্ন 24)
Correct answer: d
সিলিকন ডায়োডের সম্মুখ বায়াসে কন্ডাকশন শুরু করতে ন্যূনতম 0.7 V বিভব প্রাচীর অতিক্রম করতে হয়। জার্মেনিয়ামের ক্ষেত্রে এটি প্রায় 0.3 V।
সিলিকন (Si) পি-এন জাংশন ডায়োডের জন্য সাধারণ কক্ষ তাপমাত্রায় বিভব প্রাচীর বা ব্যারিয়ার পটেনশিয়াল (Barrier potential) কত? (প্রশ্ন 25)
Correct answer: a
সিলিকন ডায়োডের সম্মুখ বায়াসে কন্ডাকশন শুরু করতে ন্যূনতম 0.7 V বিভব প্রাচীর অতিক্রম করতে হয়। জার্মেনিয়ামের ক্ষেত্রে এটি প্রায় 0.3 V।
সিলিকন (Si) পি-এন জাংশন ডায়োডের জন্য সাধারণ কক্ষ তাপমাত্রায় বিভব প্রাচীর বা ব্যারিয়ার পটেনশিয়াল (Barrier potential) কত? (প্রশ্ন 26)
Correct answer: b
সিলিকন ডায়োডের সম্মুখ বায়াসে কন্ডাকশন শুরু করতে ন্যূনতম 0.7 V বিভব প্রাচীর অতিক্রম করতে হয়। জার্মেনিয়ামের ক্ষেত্রে এটি প্রায় 0.3 V।
সিলিকন (Si) পি-এন জাংশন ডায়োডের জন্য সাধারণ কক্ষ তাপমাত্রায় বিভব প্রাচীর বা ব্যারিয়ার পটেনশিয়াল (Barrier potential) কত? (প্রশ্ন 27)
Correct answer: c
সিলিকন ডায়োডের সম্মুখ বায়াসে কন্ডাকশন শুরু করতে ন্যূনতম 0.7 V বিভব প্রাচীর অতিক্রম করতে হয়। জার্মেনিয়ামের ক্ষেত্রে এটি প্রায় 0.3 V।
সিলিকন (Si) পি-এন জাংশন ডায়োডের জন্য সাধারণ কক্ষ তাপমাত্রায় বিভব প্রাচীর বা ব্যারিয়ার পটেনশিয়াল (Barrier potential) কত? (প্রশ্ন 28)
Correct answer: d
সিলিকন ডায়োডের সম্মুখ বায়াসে কন্ডাকশন শুরু করতে ন্যূনতম 0.7 V বিভব প্রাচীর অতিক্রম করতে হয়। জার্মেনিয়ামের ক্ষেত্রে এটি প্রায় 0.3 V।
সিলিকন (Si) পি-এন জাংশন ডায়োডের জন্য সাধারণ কক্ষ তাপমাত্রায় বিভব প্রাচীর বা ব্যারিয়ার পটেনশিয়াল (Barrier potential) কত? (প্রশ্ন 29)
Correct answer: a
সিলিকন ডায়োডের সম্মুখ বায়াসে কন্ডাকশন শুরু করতে ন্যূনতম 0.7 V বিভব প্রাচীর অতিক্রম করতে হয়। জার্মেনিয়ামের ক্ষেত্রে এটি প্রায় 0.3 V।
সিলিকন (Si) পি-এন জাংশন ডায়োডের জন্য সাধারণ কক্ষ তাপমাত্রায় বিভব প্রাচীর বা ব্যারিয়ার পটেনশিয়াল (Barrier potential) কত? (প্রশ্ন 30)
Correct answer: b
সিলিকন ডায়োডের সম্মুখ বায়াসে কন্ডাকশন শুরু করতে ন্যূনতম 0.7 V বিভব প্রাচীর অতিক্রম করতে হয়। জার্মেনিয়ামের ক্ষেত্রে এটি প্রায় 0.3 V।
সিলিকন (Si) পি-এন জাংশন ডায়োডের জন্য সাধারণ কক্ষ তাপমাত্রায় বিভব প্রাচীর বা ব্যারিয়ার পটেনশিয়াল (Barrier potential) কত? (প্রশ্ন 31)
Correct answer: c
সিলিকন ডায়োডের সম্মুখ বায়াসে কন্ডাকশন শুরু করতে ন্যূনতম 0.7 V বিভব প্রাচীর অতিক্রম করতে হয়। জার্মেনিয়ামের ক্ষেত্রে এটি প্রায় 0.3 V।
সিলিকন (Si) পি-এন জাংশন ডায়োডের জন্য সাধারণ কক্ষ তাপমাত্রায় বিভব প্রাচীর বা ব্যারিয়ার পটেনশিয়াল (Barrier potential) কত? (প্রশ্ন 32)
Correct answer: d
সিলিকন ডায়োডের সম্মুখ বায়াসে কন্ডাকশন শুরু করতে ন্যূনতম 0.7 V বিভব প্রাচীর অতিক্রম করতে হয়। জার্মেনিয়ামের ক্ষেত্রে এটি প্রায় 0.3 V।